1996 Sep 03 2
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode 1PS226
FEATURES
?
Small plastic SMD package
?
High switching speed: max.
4
ns
?
Continuous reverse voltage:
max.
80
V
?
Repetitive peak reverse voltage:
max.
85
V
?
Repetitive peak forward current:
max. 500
mA.
APPLICATIONS
?
High-speed switching in e.g.
surface mounted circuits.
DESCRIPTION
The 1PS226 consists of two
high-speed switching diodes
connected in series, fabricated in
planar technology, and encapsulated
in the small plastic SMD SC59
package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
anode
2
cathode
3
common connection
Fig.1 Simplified outline (SC59) and symbol.
Top view
21
3
MAM083
21
3
Marking code:
C3T.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC
134).
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
VRRM
repetitive peak reverse voltage
?
85
V
VR
continuous reverse voltage
?
80
V
IF
continuous forward current
single diode loaded; see
Fig.2;
note
1
?
215
mA
double diode loaded; see
Fig.2;
note
1
?
125
mA
IFRM
repetitive peak forward current
?
500
mA
IFSM
non-repetitive peak forward current
square wave; Tj
=
25
°C prior to
surge
t
=
1
μs
?
4
A
t
=
1
s
?
0.5
A
Ptot
total power dissipation
Tamb
=
25
°C; note
1
?
250
mW
Tstg
storage temperature
?65
+150
°C
Tj
junction temperature
?
150
°C
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